半导体器件课后作业的两道题,貌似给出的选项是矛盾的.1.电子迁移率为1500,400k下其扩散系数为:A39B52C70;2.n型半导体在室温下扩散系数为39,则电子在400k时的迁移率为:a1500

半导体器件课后作业的两道题,貌似给出的选项是矛盾的.1.电子迁移率为1500,400k下其扩散系数为:A39B52C70;2.n型半导体在室温下扩散系数为39,则电子在400k时的迁移率为:a1500

问题描述:

半导体器件课后作业的两道题,貌似给出的选项是矛盾的.
1.电子迁移率为1500,400k下其扩散系数为:
A39 B52 C70;
2.n型半导体在室温下扩散系数为39,则电子在400k时的迁移率为:
a1500 b1125 c1700

最佳答案:

两题都是围绕 爱因斯坦方程 D/u = KT/q 展开的
D 载流子(电子或空穴)扩散系数,u 载流子迁移率 KT/q
除T温度外其他为常数.常温下(20摄氏度293k) KT/q=0.026ev 这个要记住,常用
第一题
0.026*1500=39,常温下为39
400k下用比例计算最方便,应为扩散系数与温度正比,X/39=400/293,X=53
这个53是精确值,题目的52是常温按照300k来计算的,你可以自己试试看哦
第二题
一个道理,先计算常温时的迁移率,39/X=0.026(又用到了,只要记住,非常方便),X=1500
这回迁移率和温度反比,我们用300k来计算,1500/Y=400/300 ,Y=1125
通过这两个题我想你一定就掌握爱因斯坦方程的运用了吧~

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